前言：
濺射靶材在半導(dǎo)體生產(chǎn)中發(fā)揮重要作用，近年來(lái)，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)增長(zhǎng)，半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大。目前晶圓制造是半導(dǎo)體濺射靶材最主要的需求來(lái)源，占比超60%；金屬濺射靶材為最大細(xì)分品類(lèi)，占比接近65%。我國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)增長(zhǎng)快速，但其在半導(dǎo)體材料及濺射靶材中占比較小，行業(yè)仍具備可挖掘空間。半導(dǎo)體是對(duì)濺射靶材的技術(shù)要求和純度要求最高的領(lǐng)域，大型跨國(guó)企業(yè)憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)壟斷市場(chǎng)，中國(guó)企業(yè)在政策利好下實(shí)現(xiàn)突破，市場(chǎng)地位有所提升。
一、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)增長(zhǎng)，帶動(dòng)半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)擴(kuò)大
根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)研究與未來(lái)投資預(yù)測(cè)報(bào)告（2025-2032年）》顯示，濺射靶材是指通過(guò)磁控濺射等鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射沉積在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。作為各類(lèi)薄膜工業(yè)化制備的關(guān)鍵材料，濺射靶材在半導(dǎo)體集成電路、平面顯示、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、低輻射玻璃等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
在晶圓封裝和測(cè)試中，濺射靶材對(duì)于在半導(dǎo)體生產(chǎn)的最后階段沉積必要的薄膜至關(guān)重要。晶圓組封裝涉及 IC 的鍵合和封裝，而測(cè)試則確保其性能和可靠性。濺射工藝用于在封裝和測(cè)試階段應(yīng)用可增強(qiáng) IC 的連接性、保護(hù)性和功能性的層，有助于提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的整體質(zhì)量和耐用性。
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)增長(zhǎng)，帶動(dòng)半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)擴(kuò)大。根據(jù)數(shù)據(jù)，2018-2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模由4688億美元增長(zhǎng)至6269億美元，預(yù)計(jì)2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)6972億美元。
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2023年全球半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模為19.5億美元，預(yù)計(jì)2030年全球半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)32.6億美元，2024-2030 年復(fù)合年增長(zhǎng)率為 6.82%。
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二、晶圓制造是半導(dǎo)體濺射靶材主要需求來(lái)源，金屬濺射靶材為最大細(xì)分品類(lèi)
從下游領(lǐng)域來(lái)看，半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中，濺射靶材主要應(yīng)用于晶圓制造和芯片封裝環(huán)節(jié)。目前晶圓制造是半導(dǎo)體濺射靶材最主要的需求來(lái)源，占據(jù)大約61.8%的市場(chǎng)份額；晶圓封裝及測(cè)試占比38.2%。
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從產(chǎn)品類(lèi)型看，隨著磁控濺射鍍膜技術(shù)的不斷進(jìn)步和下游應(yīng)用需求的持續(xù)發(fā)展，濺射靶材采用的材料愈發(fā)多樣化，包括單質(zhì)金屬/非金屬、合金、陶瓷化合物等。
金屬/非金屬單質(zhì)靶材是由同種金屬/非金屬元素組成的具有較高純度及特定微觀結(jié)構(gòu)的靶材，例如：銅靶、鋁靶、鉬靶、鈦靶、硅靶，石墨靶、硼靶等，是制備電極布線膜、阻擋膜、粘合膜及反射膜等的重要原材料；合金靶材是由兩種或兩種以上金屬或非金屬合成的具有一定金屬特性的靶材，例如：鈦鋁靶、鎳鉻靶、鉬鈮靶等，合金靶材具有優(yōu)于單質(zhì)靶材的某些特異性質(zhì)，能夠滿足新型功能膜系的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)需求；陶瓷化合物靶材是由一種或幾種氧化物經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成的具有陶瓷結(jié)構(gòu)和特性的靶材，例如ITO靶、IZO靶、AZO 靶等，陶瓷化合物靶材具有高強(qiáng)度、高熔點(diǎn)、化學(xué)穩(wěn)定性好、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，但塑性變形能力差，易發(fā)生脆性破壞，大尺寸靶材制備難度較大。
目前全球半導(dǎo)體濺射靶材產(chǎn)品結(jié)構(gòu)以金屬濺射靶材、合金濺射靶材、非金屬濺射靶材為主，其中金屬濺射靶材占比較大，達(dá)64%左右。
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三、我國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)增長(zhǎng)快速，行業(yè)仍具備可挖掘空間
伴隨著顯示面板產(chǎn)能轉(zhuǎn)移、半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速以及太陽(yáng)能電池市場(chǎng)景氣度不斷上升，我國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)增長(zhǎng)快速。2018-2024年我國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模由15億元增長(zhǎng)至26億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為9.6%。
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我國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)起步較晚，發(fā)展歷程較短，行業(yè)仍有較大成長(zhǎng)空間。根據(jù)數(shù)據(jù)，我國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模僅占半導(dǎo)體材料總市場(chǎng)規(guī)模的2.7%，僅占濺射靶材總市場(chǎng)規(guī)模的5.46%。
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四、半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)由大型跨國(guó)企業(yè)壟斷，中國(guó)企業(yè)在政策利好下實(shí)現(xiàn)突破
各下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)R射靶材的制備技術(shù)、產(chǎn)品性能等要求各異，半導(dǎo)體是其中對(duì)濺射靶材的技術(shù)要求和純度要求最高的領(lǐng)域。芯片制造對(duì)濺射靶材金屬純度的要求通常要達(dá)到 99.9995% 以上，并且對(duì)其內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等也設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)。因?yàn)槿魹R射靶材的雜質(zhì)含量過(guò)高，形成的薄膜就無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，將嚴(yán)重影響薄膜的性能。
隨著技術(shù)的進(jìn)步，集成電路對(duì)靶材的純度和技術(shù)要求越來(lái)越高，尤其是在7納米及以下先進(jìn)邏輯器件、新型存儲(chǔ)器件、三維集成等先進(jìn)器件及技術(shù)的創(chuàng)新突破中，靶材技術(shù)性能提升的需求顯得尤為迫切。靶材的純度通常在4N5以上，對(duì)堿金屬、堿土金屬、放射性金屬元素、氣體雜質(zhì)等都有嚴(yán)格控制要求。
濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用要求
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 應(yīng)用要求 |
| 半導(dǎo)體集成電路 | 濺射靶材是制備半導(dǎo)體集成電路的核心材料之一,集成電路中每個(gè)單元器件內(nèi)部的介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層均需用到濺射鍍膜工藝。自集成電路出現(xiàn)以來(lái)，對(duì)制備集成電路的濺射靶材性能要求亦越來(lái)越高，半導(dǎo)體集成電路用濺射靶材是目前行業(yè)內(nèi)技術(shù)難度最高的領(lǐng)域。 |
| 平面顯示 | 平面顯示是濺射靶材需求規(guī)模最大的市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎所有類(lèi)型的平面顯示器件都會(huì)使用大量濺射靶材來(lái)制備各類(lèi)功能薄膜。相較于半導(dǎo)體集成電路,平面顯示領(lǐng)域?qū)R射靶材的純度和技術(shù)要求略低,但隨著靶材尺寸的增大對(duì)濺射靶材的均勻性、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。 |
| 太陽(yáng)能電池 | 太陽(yáng)能電池是濺射靶材未來(lái)發(fā)展?jié)摿^大的應(yīng)用領(lǐng)域之一,濺射靶材主要用于制備薄膜電池背電極以及HJT太陽(yáng)能電池導(dǎo)體層。近年來(lái)，HIT太陽(yáng)能電池技術(shù)等新興太陽(yáng)能電池技術(shù)不斷涌現(xiàn),太陽(yáng)能電池的大幅應(yīng)用及推廣將推動(dòng)濺射靶材市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)。 |
| 其他 | 濺射靶材亦可廣泛應(yīng)用于信息存儲(chǔ)、玻璃鍍膜、裝飾鍍膜、工模具鍍膜等領(lǐng)域。其中，信息存儲(chǔ)、玻璃鍍膜、裝飾鍍膜等領(lǐng)域?qū)R射靶材純度、品粒品向控制等方面的技術(shù)要求均較低，在滿足產(chǎn)品品質(zhì)及技術(shù)要求的前提下更關(guān)注成本、產(chǎn)能規(guī)模、供貨穩(wěn)定性及交期等。 |
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高技術(shù)要求下，全球半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)主要由幾家大型跨國(guó)企業(yè)所壟斷。憑借專(zhuān)利技術(shù)上的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，以及雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量，美國(guó)、日本、歐洲等發(fā)達(dá)國(guó)家或地區(qū)的大型濺射靶材廠商占據(jù)了全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)較高的市場(chǎng)份額。以日本JX 金屬、美國(guó)霍尼韋爾、日本東曹和美國(guó)普萊克斯為代表的大型跨國(guó)企業(yè)成立較早且發(fā)展成熟，囊括了金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，尤其是在中高端半導(dǎo)體濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯，2019 年上述五家企業(yè)合計(jì)占據(jù)全球?yàn)R射靶材約80%左右的市場(chǎng)份額。
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高性能濺射靶材行業(yè)是國(guó)家重點(diǎn)支持和鼓勵(lì)發(fā)展的行業(yè)，在國(guó)家政策引導(dǎo)下，以江豐電子、阿石創(chuàng)等為代表的國(guó)內(nèi)各大企業(yè)逐步加大研發(fā)投入，在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)開(kāi)拓等方面取得了顯著成效，逐步打破了國(guó)外企業(yè)的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)壟斷，提升了中國(guó)在全球半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)的地位。
我國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)相關(guān)政策
| 時(shí)間 | 政策 | 發(fā)布部門(mén) | 主要內(nèi)容 |
| 2023年 | 《電子信息制造業(yè)2023-2024年穩(wěn)增長(zhǎng)行動(dòng)方案》 | 工信部、財(cái)政部 | 優(yōu)化集成電路、新型顯示等產(chǎn)業(yè)布局并提升高端供給水平，增強(qiáng)材料、設(shè)備及零配件等配套能力 |
| 2023年 | 《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見(jiàn)》 | 工信部、教育部、科技部、市場(chǎng)監(jiān)管總局 | 提升高頻高速印刷電路板及基材、新型顯示專(zhuān)用材料、高效光伏電池材料、鋰電關(guān)鍵材料、電子漿料、電子樹(shù)脂、電子化學(xué)品、新型顯示電子功能材料、先進(jìn)陶瓷基板材料、電子裝聯(lián)材料、芯片先進(jìn)封裝材料等電子材料性能 |
| 2021年 | 《“十四五”原材料工業(yè)發(fā)展規(guī)劃》 | 工信部、科技部、自然資源部 | 推動(dòng)超高純金屬及靶材制備等新技術(shù)研發(fā);圍繞大飛機(jī)、航空發(fā)動(dòng)機(jī)、集成電路、信息通信、生物產(chǎn)業(yè)和能源產(chǎn)業(yè)等重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域，攻克包括靶材在內(nèi)的一批關(guān)鍵材料 |
| 2021年 | 《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》 | 全國(guó)人民代表大會(huì) | 聚焦新一代信息技術(shù)、生物技術(shù)、新能源、新材料、高端裝備、新能源汽車(chē)、綠色環(huán)保以及航空航天、海洋裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，加快關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用，增強(qiáng)要素保障能力，培育壯大產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動(dòng)能在事關(guān)國(guó)家安全和發(fā)展全局的基礎(chǔ)核心領(lǐng)域，制定實(shí)施戰(zhàn)略性科學(xué)計(jì)劃和科學(xué)工程 |
| 2020年 | 《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見(jiàn)》 | 國(guó)家發(fā)改委、科技部、工信部、財(cái)政部 | 要求加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)，圍繞保障大飛機(jī)、微電子制造、深海采礦等重點(diǎn)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定，加快在光刻膠、高純靶材、高溫合金、高性能纖維材料、高強(qiáng)高導(dǎo)耐熱材料、耐腐蝕材料、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破 |
| 2018年 | 《擴(kuò)大和升級(jí)信息消費(fèi)三年行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》 | 工信部、國(guó)家發(fā)改委 | 在新型信息產(chǎn)品供給體系提質(zhì)行動(dòng)中要求提升消費(fèi)電子產(chǎn)品供給創(chuàng)新水平、加快新型顯示產(chǎn)品發(fā)展,在保障措施中要求各地工業(yè)和信息化、發(fā)展改革主管部門(mén)要進(jìn)一步落實(shí)鼓勵(lì)軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策 |
| 2017年 | 《新材料關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)業(yè)化實(shí)施方案》 | 國(guó)家發(fā)改委 | 要求中明確提到大尺寸高純鉬靶材材料:鉬靶材純度≥99.99%，板狀靶材長(zhǎng)度≥2000mm，管狀靶材外徑≥150mm，長(zhǎng)度大于1500mm |
| 2017年 | 《增強(qiáng)制造業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力三年行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》 | 國(guó)家發(fā)改委 | 要求加快8.5代TFT-LCD及以上玻璃基板、偏光片及配套膜材料、光刻膠等關(guān)鍵材料產(chǎn)業(yè)化，提升重大技術(shù)裝備關(guān)鍵零部件及工藝設(shè)備配套能力。政府從支撐體系建設(shè)、完善激勵(lì)政策、金融政策扶持等方面給予支持 |
| 2017年 | 《產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)發(fā)展指南(2017)年》 | 工信部 | 在電子信息核心器件用高純稀土金屬及型材制備技術(shù)的主要技術(shù)內(nèi)容中明確超高純稀土金屬致密鑄錠及大尺寸靶材等技術(shù) |
| 2017年 | 《有色金屬工業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2020)年》 | 工信部、科技部、自然資源部 | 圍繞新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的集成電路、功能元器件等領(lǐng)域需求，利用先進(jìn)可靠技術(shù)，加快發(fā)展大尺寸硅單品拋光片、超大規(guī)格高純金屬靶材、高功率微波/激光器件用襯底及封裝材料、紅外探測(cè)及成像材料、真空電子材料等，實(shí)現(xiàn)新一代微電子光電子功能材料、智能傳感材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化取得實(shí)破，提升高端有色金屬電子材料供給水平 |
| 2017年 | 《產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力發(fā)展規(guī)劃(2016-2020年)》 | 工信部 | 發(fā)展高性能大規(guī)格鋁、鎂、鈦、銅合金材料制備及精密成形工藝與控制、服役性能評(píng)價(jià)等技術(shù)，大型復(fù)雜截面型材、管材、鍛件等技術(shù),高純金屬、稀有稀貴金屬材料制備、粉末冶金材料及制品低成本化等應(yīng)用技術(shù)與成套工藝，難熔金屬成型、大尺寸靶材、功能梯度系列硬質(zhì)合金、高球形度合金粉及絲材、電子漿料及催化材料等制備技術(shù) |
| 2017年 | 《“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃》 | 科技部 | 重點(diǎn)研發(fā) 300毫米硅片、深紫外光刻膠、拋光材料、超高純電子氣體、濺射靶材等關(guān)鍵材料產(chǎn)品,通過(guò)大生產(chǎn)線應(yīng)用考核認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N(xiāo)售:研發(fā)相關(guān)超高純?cè)牧袭a(chǎn)品，構(gòu)建材料應(yīng)用工藝開(kāi)發(fā)平臺(tái),支撐關(guān)鍵材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新生態(tài)體系建設(shè)與發(fā)展 |
| 2017年 | 《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃》 | 科技部 | 在發(fā)展重點(diǎn)的第六項(xiàng)新型功能與智能材料中明確包含高純靶材及薄膜等材料及技術(shù) |
| 2017年 | 《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》 | 工信部、國(guó)家發(fā)改委 | 加快開(kāi)發(fā)面向先進(jìn)工藝的刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備及12英寸硅片、靶材等核心材料，形成產(chǎn)業(yè)化能力 |
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我國(guó)濺射靶材企業(yè)布局情況
| 企業(yè)名稱(chēng) | 布局情況 |
| 江豐電子 | 江豐電子是國(guó)內(nèi)高純?yōu)R射靶材引領(lǐng)者，主要產(chǎn)品包括鋁靶、鈦靶及鈦環(huán)、鉭靶及鉭環(huán)等。近年來(lái)，公司強(qiáng)化先端制程產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，努力擴(kuò)大全球市場(chǎng)份額，現(xiàn)已成為臺(tái)積電、中芯國(guó)際等海內(nèi)外企業(yè)的核心供應(yīng)商 |
| 阿石創(chuàng) | 阿石創(chuàng)的濺射靶材產(chǎn)品包括金屬/非金屬單質(zhì)靶材、合金靶材、化合物靶材等，其中大型濺射靶材的綁定產(chǎn)能和鉬靶材的市占率位列全球第一，主要應(yīng)用于平板顯示領(lǐng)域。 |
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