一、全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器發(fā)展前景廣闊，其中中國(guó)為最大主要市場(chǎng)
觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)調(diào)研與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告（2024-2031年）》顯示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是進(jìn)行信息存儲(chǔ)的關(guān)鍵器件，應(yīng)用范圍較廣泛，可以應(yīng)用于多數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，是市場(chǎng)占比較高的基礎(chǔ)性存儲(chǔ)產(chǎn)品。
隨著AI的大規(guī)模普及，半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)迎來(lái)了新的浪潮，受到大模型時(shí)代的高算力、大存儲(chǔ)的現(xiàn)實(shí)需求推動(dòng)，下游市場(chǎng)復(fù)蘇疊加AI浪潮驅(qū)動(dòng)，將GPU及存儲(chǔ)需求迅速提升。
數(shù)據(jù)顯示，2023年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約為903.7億美元，較上年同比下降35.1%；預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1529億美元，較上年同比增長(zhǎng)69.2%。
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從地區(qū)發(fā)展情況看，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)成為全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第一大市場(chǎng)，占比接近30%；其次是美國(guó)和歐洲，占比16%、12%。
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二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)，目前DRAM和NAND Flash為市場(chǎng)主流
根據(jù)功能性及使用的主要存儲(chǔ)芯片類(lèi)型不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)RAM）和非易失性存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)ROM）。
RAM可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM）兩類(lèi)，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基存儲(chǔ)；DRAM需要周期性地刷新，速度較慢，但成本較低，是大宗存儲(chǔ)。
ROM主要包括掩膜型只讀存儲(chǔ)器、可編程只讀存儲(chǔ)器、快閃存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)Flash）。快閃存儲(chǔ)器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存儲(chǔ)，NOR 是利基存儲(chǔ)。
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目前全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器以DRAM和NAND Flash為主，總占比達(dá)97%，分別占比61%、36%。除得益于技術(shù)發(fā)展外，DRAM和NAND Flash分別受存儲(chǔ)容量擴(kuò)大和存儲(chǔ)成本不斷優(yōu)化驅(qū)動(dòng)。
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三、全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)高度集中，中國(guó)企業(yè)布局腳步加快
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)高度集中。在DRAM市場(chǎng)中，2023年三星、SK海力士和美光三大巨頭總市場(chǎng)份額達(dá)96%，分別占比41.4%、31.7%、22.9%;在NAND Flash市場(chǎng)中，三星、海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和美光五大企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，總市場(chǎng)份額接近95%;在NOR Flash市場(chǎng)中，兆易創(chuàng)新等國(guó)內(nèi)企業(yè)也在積極布局。
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與國(guó)外企業(yè)相比，中國(guó)企業(yè)起步較晚，發(fā)展空間較大。隨著全球化的競(jìng)爭(zhēng)格局的加劇，中國(guó)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展必須更加注重創(chuàng)新和研發(fā)，向著高端制造和設(shè)計(jì)的方向發(fā)展，才能夠在行業(yè)中贏得更大的話語(yǔ)權(quán)。
我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)代表企業(yè)布局情況
| 企業(yè)名稱(chēng) | 布局情況 |
| 兆易創(chuàng)新 | 存儲(chǔ)器方面，公司為大陸存儲(chǔ)芯片龍頭生產(chǎn)商，產(chǎn)品線Nor+NAND+DRAM全覆蓋，其中Nor全球第三、大陸第一。此外，兆易創(chuàng)新是國(guó)內(nèi)MCU龍頭。車(chē)載存儲(chǔ)龍頭生產(chǎn)商之一，有高速低功耗SRAM，低中密度 |
| 北京君正 | DRAM,NOR/NANDFlash，嵌入式Flash pFusion，及eMMC等芯片產(chǎn)品。其收購(gòu)的北京矽成(控股美國(guó)ISSI存儲(chǔ))在汽車(chē)DRAM領(lǐng)域，美光占據(jù)45%居全球第一，北京矽成占據(jù)15%居全球第二。 |
| 聚辰股份 | 提供存儲(chǔ)、模擬和混合信號(hào)集成電路產(chǎn)品并提供應(yīng)用解決方案和技術(shù)支持服務(wù)。公司目前擁有EEPROM、音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片和智能卡芯片三條主要產(chǎn)品線。 |
| 紫光國(guó)微 | 公司存儲(chǔ)器芯片業(yè)務(wù)由參股子公司紫光國(guó)芯承擔(dān)。紫光國(guó)芯主要從事存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、自有品牌存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品銷(xiāo)售，以及集成電路設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、測(cè)試服務(wù)，建設(shè)了完整先進(jìn)的DRAM存儲(chǔ)器測(cè)試分析工程中心，同時(shí)擁有世界主流動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。 |
| 復(fù)旦微電 | 復(fù)旦微電的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品線可提供多種接口、各型封裝、全面容量、高性?xún)r(jià)比的非揮發(fā)存儲(chǔ)器產(chǎn)品，目前主要產(chǎn)品為EEPROM 存儲(chǔ)器、NOR Flash 存儲(chǔ)器和SLC NAND Flash存儲(chǔ)器，具有多種容量、接口和封裝形式，整體市場(chǎng)份額居國(guó)內(nèi)前列。 |
| 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) | 一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。 |
| 長(zhǎng)江存儲(chǔ) | 專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。 |
| 普冉股份 | 公司主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器芯片 |
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